Адаптивные разбиения: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску
Строка 69: Строка 69:


== Открытые вопросы ==
== Открытые вопросы ==
В настоящее время на одном из важных субмикронных этапов технологической эволюции в электронике межсоединения стали доминирующим фактором, определяющим производительность и надежность СБИС. Исторически сложилось так, что задача проектирования межсоединений в СБИС очень тесно переплетается с классической задачей вычислительной геометрии – построением минимального дерева Штейнера. Некоторые существенные характеристики СБИС примерно пропорциональны длине межсоединений. К таким характеристикам относятся площадь кристалла, производительность, энергопотребление, надежность и синхронизация. Например, площадь, занимаемая межсоединениями, пропорциональна их суммарной длине и напрямую влияет на размер чипа. Увеличение размера микросхемы приводит к снижению процента выхода годных и росту стоимости производства. С увеличением длины проводов возрастает и стоимость других компонентов, необходимых для производства. С точки зрения производительности более длинные межсоединения способствуют увеличению рассеивания мощности, деградации синхронизации и другим нежелательным последствиям. Именно поэтому поиск минимальной длины межсоединений, согласующейся с другими целями и ограничениями, является настолько серьезной задачей на данном этапе развития технологии СБИС.
На важном субмикронном этапе технологической эволюции в электронике именно межсоединения стали доминирующим фактором, определяющим производительность и надежность СБИС. Исторически сложилось так, что задача проектирования межсоединений в СБИС была очень тесно переплетена с классической задачей вычислительной геометрии – построением минимального [[дерево Штейнера|дерева Штейнера]]. Некоторые важнейшие характеристики СБИС примерно пропорциональны длине межсоединений. К таким характеристикам относятся площадь кристалла, выход годных кристаллов, энергопотребление, надежность и синхронизация. Например, площадь, занимаемая межсоединениями, пропорциональна их суммарной длине и напрямую влияет на размер чипа. Увеличение размера микросхемы приводит к снижению процента выхода годных и росту стоимости производства. С увеличением длины проводов возрастает и стоимость других компонентов, необходимых для производства. С точки зрения производительности более длинные межсоединения способствуют увеличению рассеивания мощности, деградации синхронизации и другим нежелательным последствиям. Именно поэтому поиск минимальной длины межсоединений, согласующейся с другими целями и ограничениями, является настолько серьезной задачей на данном этапе развития технологии СБИС.